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《半導體物理》課程考試大綱

一、適用專業：

集成電路工程

二、參考書目：

1.劉恩科 朱秉升編，半導體物理學，國防工業出版社

三、考試內容與基本要求：

第一章 緒論

[考試要求]

本章要求學生掌握本課程研究的對象和內容，了解半導體材料及器件的應用，了解本課程的基本要求;了解與半導體晶體相關的概念，重點掌握倒格子、布里淵區的概念，重點了結晶體中的缺陷、晶格振動和晶體中的電子運動。

[考試內容]

①晶格、格點、基矢、布里淵區、倒格子等概念

②晶體中的缺陷、晶格振動

③晶體中的電子運動

第二章 半導體中的電子狀態

[考試要求]

本章要求學生掌握電子、空穴和有效質量的概念，重點了解和掌握半導體的能帶結構，了解半導體中的雜質和缺陷能級。

[考試內容]

①電子、空穴和有效質量的概念

②能帶論，并用能帶理論解釋半導體物理學中的一些現象

③常用半導體的能帶結構

④半導體中的雜質和缺陷

第三章 熱平衡狀態下載流子的統計分布

[考試要求]

本章要求學生掌握狀態密度及費米能級的概念， 掌握熱平衡狀態下本征半導體及雜質半導體的載流子濃度，了解非簡并情況下費米能級和載流子濃度隨溫度的變化。

[考試內容]

①狀態密度及費米能級的概念以及它們的表達式

②熱平衡狀態下本征及雜質半導體的載流子濃度

③非簡并情況下費米能級和載流子濃度隨溫度的變化

④簡并半導體

第四章 載流子的漂移和擴散

[考試要求]

本章要求學生掌握半導體中載流子的各種散射機制，了解電阻率和遷移率與雜質濃度和溫度的關系，掌握載流子的擴散和漂移運動、愛因斯坦關系。

[考試內容]

①半導體中載流子的各種散射機制

②電導率和遷移率

③電阻率和遷移率與雜質濃度和溫度的關系

④載流子的擴散和漂移運動，愛因斯坦關系

⑤強電場效應，熱載流子

第五章 非平衡載流子

[考試要求]

本章要求學生掌握非平衡載流子的注入與復合，了解各種復合理論，連續性方程。

[考試內容]

①非平衡載流子的注入與復合

②各種復合理論

③連續性方程

第六章 p-n結

[考試要求]

本章要求學生掌握p-n結概念及其能帶圖，掌握理想p-n結的電流電壓關系，了解p-n結電容，了解實際p-n結的電流電壓關系、p-n結擊穿、p-n結隧道效應等。

[考試內容]

①p-n結及其能帶圖

②理想p-n結的電流電壓關系

③實際p-n結的電流電壓關系、p-n結擊穿

④p-n結電容

⑤p-n結隧道效應 隧道結

第七章 金屬和半導體接觸

[考試要求]

本章要求學生掌握金屬半導體接觸的能帶圖及其電流電壓關系，了解歐姆接觸和肖特基勢壘。

[考試內容]

(1)學習要求

①金屬半導體接觸的能帶圖及其電流電壓關系

②歐姆接觸

③肖特基勢壘

第八章 半導體表面與MIS結構

[考試要求]

本章要求學生掌握表面態和表面電場效應，了解MIS結構及應用。

[考試內容]

①半導體表面能帶和空間電荷區

②MIS結構及應用

第九章 半導體的光、熱效應

[考試要求]

本章要求學生了解半導體的光電導和光生伏特效應及它們的應用，了解半導體激光，了解半導體的熱電效應及其應用。

[考試內容]

①半導體的光電導和光生伏特效應及其應用

②半導體的熱電效應及其應用

第十章 半導體的磁效應

[考試要求]

本章要求學生了解霍爾效應及其應用，了解半導體的磁阻效應。

[考試內容]

①霍爾效應及其應用