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2018年遼寧大學(xué)研究生考試845微電子學(xué)基礎(chǔ)考試大綱公布如下

《微電子學(xué)基礎(chǔ)》考試大綱

一、總體要求
主要考察學(xué)生掌握“微電子器件及集成電路”的基本知識(shí)、基本理論的情況，以及用這些基本知識(shí)和基本理論分析問(wèn)題和解決問(wèn)題的能力。 
二、考試內(nèi)容
微電子學(xué)基礎(chǔ)的考試內(nèi)容由兩部分構(gòu)成,分別為微電子器件和半導(dǎo)體集成電路的基礎(chǔ)知識(shí)，所占比例基本相同。具體如下：
（一）微電子器件考試內(nèi)容
1．半導(dǎo)體器件基本方程
1）一維形式的半導(dǎo)體器件基本方程
2）基本方程的主要簡(jiǎn)化形式 
2．PN結(jié)
1）突變結(jié)與線性緩變結(jié)的定義 
2）PN結(jié)空間電荷區(qū)的形成 
3）耗盡近似與中性近似
4）耗盡區(qū)寬度、內(nèi)建電場(chǎng)與內(nèi)建電勢(shì)的計(jì)算 
5）正向及反向電壓下PN結(jié)中的載流子運(yùn)動(dòng)情況 
6）PN結(jié)的能帶圖 
7）PN結(jié)的少子分布圖 
8）PN結(jié)的直流伏安特性
9）PN結(jié)反向飽和電流的計(jì)算及影響因素 
10）薄基區(qū)二極管的特點(diǎn) 
11）大注入效應(yīng)
12）PN結(jié)雪崩擊穿的機(jī)理、雪崩擊穿電壓的計(jì)算及影響因素、齊納擊穿的機(jī)理及特點(diǎn)、熱擊穿的機(jī)理
13）PN結(jié)勢(shì)壘電容與擴(kuò)散電容的定義、計(jì)算與特點(diǎn) 
14）PN結(jié)的交流小信號(hào)參數(shù)與等效電路 
15）PN結(jié)的開(kāi)關(guān)特性與少子存儲(chǔ)效應(yīng) 
3．雙極型晶體管
1）雙極型晶體管在四種工作狀態(tài)下的少子分布圖與能帶圖 
2）基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)與發(fā)射結(jié)注入效率的定義及計(jì)算
3）共基極與共發(fā)射極直流電流放大系數(shù)的定義及計(jì)算 
4）基區(qū)渡越時(shí)間的概念及計(jì)算 
5）緩變基區(qū)晶體管的特點(diǎn)
6）小電流時(shí)電流放大系數(shù)的下降 
7）發(fā)射區(qū)重?fù)诫s效應(yīng)
8）晶體管的直流電流電壓方程、晶體管的直流輸出特性曲線圖 
9）基區(qū)寬度調(diào)變效應(yīng)
10）晶體管各種反向電流的定義與測(cè)量
11）晶體管各種擊穿電壓的定義與測(cè)量、基區(qū)穿通效應(yīng) 
12）方塊電阻的概念及計(jì)算
13）晶體管的小信號(hào)參數(shù) 
14）晶體管的電流放大系數(shù)與頻率的關(guān)系、組成晶體管信號(hào)延遲時(shí)間的四個(gè)主要時(shí)間常數(shù)、高頻晶體管特征頻率的定義、計(jì)算與測(cè)量、影響特征頻率的主要因素 
15）高頻晶體管最大功率增益與最高振蕩頻率的定義與計(jì)算，影響功率增益的主要因素 
4．絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET） 
1）MOSFET的類型與基本結(jié)構(gòu) 
2）MOSFET的工作原理 
3）MOSFET閾電壓的定義、計(jì)算與測(cè)量、影響閾電壓的各種因素、閾電壓的襯底偏置效應(yīng) 
4）MOSFET在非飽和區(qū)的簡(jiǎn)化的直流電流電壓方程 
5）MOSFET的飽和漏源電壓與飽和漏極電流的定義與計(jì)算
6）MOSFET的輸出特性和轉(zhuǎn)移特性（包括常見(jiàn)的二級(jí)效應(yīng)）
（二）半導(dǎo)體集成電路考試內(nèi)容
1、常見(jiàn)MOS反相器（電阻、E/E飽和型、E/E非飽和型和E/DMOS）基本工作原理及其瞬態(tài)特性
1）常見(jiàn)MOS反相器的靜態(tài)特性。
2）常見(jiàn)MOS反相器的傳輸特性。
3）常見(jiàn)MOS反相器的噪聲特性.
4) 常見(jiàn)MOS反相器的瞬態(tài)特性。
5) 常見(jiàn)MOS反相器的速度功耗乘積。
2、CMOS反相器基本工作原理及其瞬態(tài)特性
1) CMOS反相器的靜態(tài)特性。
2) CMOS反相器的傳輸特性。
3) CMOS反相器的噪聲特性。
4) CMOS反相器閾值電平。
3、MOS傳輸門(mén)的基本工作原理
1) NMOS傳輸門(mén)傳輸過(guò)程
2) PMOS傳輸門(mén)傳輸過(guò)程
3) CMOS傳輸門(mén)傳輸過(guò)程
4、MOS門(mén)電路的設(shè)計(jì)
1) NMOS傳輸門(mén)門(mén)電路設(shè)計(jì)（與、或、與非、或非、與或非、異或、同或）
2) CMOS傳輸門(mén)門(mén)電路設(shè)計(jì)（與、或、與非、或非、與或非、異或、同或）
5、集成電路工藝流程
1) Bipolar IC工藝流程
2) CMOS IC工藝流程
6、模擬基本放大電路的工作原理
1）共射、共基、共集電放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置
2）共射、共基、共集電放大電路的交流小信號(hào)等效電路
3）共射、共基、共集電放大電路的電壓放大倍數(shù)、輸入電阻和輸出電阻的求解
4）基本放大電路飽和失真和截止失真產(chǎn)生的原因，如何消除基本放大電路所處失真狀態(tài)
三、題型 
選擇題、 填空題、 簡(jiǎn)述題、 繪圖題、計(jì)算題等。