課程名稱：集成電路設計基礎

參考書目

1. 李偉華，VLSI設計基礎(第三版)，北京：電子工業出版社，2013.6。

2. R· Jacob Baker，CMOS電路設計、布局與仿真(第三版)，北京 :人民郵電出版社，2014

3. 郝躍，微電子概論(第2版)，北京：電子工業出版社，2011.6。

復習的總體要求

本課程以硅集成電路為基礎，要求全面掌握有關集成電路設計的專業基礎知識，重點是集成電路設計概論、MOS器件原理與特性、CMOS邏輯部件、MOS集成電路制造工藝基礎、集成電路設計與工藝接口及版圖設計基礎、晶體管規則陣列設計、集成電路版圖設計、單元庫設計技術、常用微處理器單元、集成電路測試技術與可測試性技術、模擬單元與變換電路。

主要復習內容

一、集成電路設計概論

集成電路發展歷程、分類、設計方法、主流制造技術、設計開發主流程、常用術語及概念。

二、MOS器件原理與特性

MOS場效應晶體管的工作原理、電特性、模型和基本模型參數、MOS器件技術的發展與挑戰。

三、CMOS邏輯部件

CMOS倒相器設計方法、常見CMOS邏輯門的原理與設計方法。

四、MOS集成電路制造工藝基礎

集成電路工藝環境、集成電路基本加工工藝、CMOS基本工藝流程。

五、集成電路設計與工藝接口及版圖設計基礎

設計與工藝接口問題及工藝對設計的制約、版圖設計中電學設計規則與幾何設計規則的基礎、工藝檢查與監控。

六、晶體管規則陣列設計

全NMOS結構的ROM電路設計及版圖、MOS晶體管開關邏輯電路及應用、PLA電路設計及應用、門陣列電路和版圖設計。

七、單元庫設計技術

單元庫概念、常見標準單元設計(反相器、輸入、輸出單元)。

八、常用微處理器單元

常用微處理器單元的電路圖及工作原理。

九、集成電路測試技術與可測試性技術

集成電路故障模型、測試矢量生成、可測試性技術概念。

十、模擬單元與變換電路

模擬集成電路基本單元、基本偏置電路、放大電路。